什么是老化？

老化是一種試驗(yàn)，用來(lái)篩選或排除少量因制造失常而導(dǎo)致固有缺陷或缺陷的設(shè)備，而這些缺陷會(huì)引發(fā)和時(shí)間和應(yīng)力相關(guān)的故障。

為什么要老化？

 
可靠性專(zhuān)家經(jīng)常使用一個(gè)圖像來(lái)描述產(chǎn)品的壽命，這個(gè)圖像被稱作浴盆曲線。

浴盆曲線由3個(gè)階段組成：故障率減小的早期故障階段，接下來(lái)為正常壽命階段（也叫做有效壽命），故障率較低且相對(duì)穩(wěn)定，zui后為磨損階段，故障率是增加的。

注意，老化并非是產(chǎn)品改進(jìn)技術(shù)。對(duì)一些產(chǎn)品進(jìn)行老化不能改善每個(gè)單元單獨(dú)的可靠性。然而，老化通過(guò)清除劣質(zhì)的部分來(lái)提高了整體的可靠性，使得單元總體更加可靠和均勻。老化同樣還會(huì)提供
造成早期故障的不同故障機(jī)理的重要信息，為監(jiān)控制造過(guò)程的質(zhì)量工程師和幫助分析導(dǎo)致早期故障機(jī)理出現(xiàn)的變化提供有價(jià)值的反饋。

很多類(lèi)型的設(shè)備和系統(tǒng)在早期壽命中展示出固有的減少的故障率特性。相對(duì)較高的早期故障率通常歸因于生產(chǎn)過(guò)程中的固有不確定性。很長(zhǎng)時(shí)間以來(lái)，老化已經(jīng)被認(rèn)為是在交貨前檢測(cè)和消除部件或系統(tǒng)

早期故障的一種有效方法。沒(méi)有老化，缺陷部件可能就被交付到了用戶手中，導(dǎo)致昂貴的現(xiàn)場(chǎng)維修和名譽(yù)上的損害。

老化就是藉由讓半導(dǎo)體進(jìn)行負(fù)荷工作而使缺陷在短時(shí)間內(nèi)出現(xiàn)，避免在使用早期發(fā)生故障。如果不藉由老化，很多半導(dǎo)體成品由于器件和制造制程復(fù)雜性等原因在使用中會(huì)產(chǎn)生很多問(wèn)題。

對(duì)一電子部件進(jìn)行老化試驗(yàn)。在初始的試驗(yàn)中，累積的故障百分比如下：

 
1、第1天有6%故障
 
2、第2天有10.1%故障

3、第3天有12%故障

4、第4天有13.8%故障

5、第5天有14.5%故障

6、第6天有15%故障

7、第7天有15.1%故障

由此，武漢尚測(cè)設(shè)計(jì)制造的各種老化房符合標(biāo)準(zhǔn)：GB/T 2423.2—2008《電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分:試驗(yàn)方法 試驗(yàn)B:高溫》、MIL-M-38510、GJB548、MIL-STD-883D、GJB597等試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)。

武漢PCBA老化房，集成電路高溫動(dòng)態(tài)老化房適用范圍：適用于各種封裝形式的大、中、小規(guī)模數(shù)字、模擬、數(shù)模混合集成電路，包括微處理器、邏輯電路、可編程器件、存儲(chǔ)器、A/D、D/A等器件的工作壽命試驗(yàn)和高溫動(dòng)態(tài)老化篩選。

一、集成電路高溫老化系統(tǒng)技術(shù)特點(diǎn)：

① 、 一板一區(qū)，可滿足16種不同試驗(yàn)參數(shù)的器件同時(shí)老化。

②  、強(qiáng)大的圖形發(fā)生系統(tǒng)，64路數(shù)字和2路模擬可編程信號(hào)。

③  、完善的、種類(lèi)齊全的老化器件數(shù)據(jù)庫(kù)可供用戶調(diào)用。

二、集成電路高溫老化系統(tǒng)技術(shù)性能

2.1、PCBA老化房試驗(yàn)區(qū)域
 
 8個(gè) （一板一區(qū)）

16個(gè) （一板一區(qū)）
 

2.2、老化試驗(yàn)容量
 
①、200×16=320位（以DIP14為例）
 
②  、136×8=1088位（以DIP14為例）  
 

2.2.1、老化一級(jí)電源
 
①、8∽16臺(tái)25V/40A或40V/2等規(guī)格可選
 
②  、4∽8臺(tái)25V/40A或40V/2等規(guī)格可選
 

2.2.2、老化二級(jí)電源
 
◆每個(gè)通道提供獨(dú)立程控的VCC、VMUX、VCLK、VEE四路二級(jí)電源。

◆每路二級(jí)電源具有過(guò)壓、欠壓、過(guò)流、短路和過(guò)熱等保護(hù)功能。

◆輸出能力：±1.00V～±18.00V/10A。

◆電源監(jiān)測(cè)：實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)記錄二級(jí)電源的電壓，并可生成圖形曲線，便于試驗(yàn)監(jiān)控。
 

2.2..3、數(shù)字信號(hào)

◆每個(gè)通道：64路數(shù)字信號(hào)。

◆編程能力：編程深度256Kbit；zui小編程步長(zhǎng)：100ns；編程分辨率：100ns；zui高信號(hào)頻率：5MHz。

◆尋址能力：可尋址64Gbit(老化ROM/SRAM等) A00～A35, 可尋址行列地址刷新器件64Gbit（老化DRAM/SDRAM等）AXX～A17，AYY：A00～A17。

◆信號(hào)特性：每路均具有數(shù)據(jù)、地址、控制、三態(tài)屬性編輯功能。

◆驅(qū)動(dòng)能力：IOL≥300mA、IOH≥100mA、Tr≤50ns、Tf≤50ns。
 

2.2..4、集成電路高溫老化系統(tǒng)模擬信號(hào)
 
◆模擬信號(hào)數(shù)：2路

◆波形類(lèi)型：正弦波、三角波、前沿鋸齒波、后沿鋸齒波、矩形波。

◆模擬信號(hào)指標(biāo)： 信號(hào)可編程頻率：1Hz～32KHz； 程控幅度范圍Vpp：0～±10V；

直流偏移量范圍Vdc：0～1/2 Vpp；編程步長(zhǎng): 0.01V；驅(qū)動(dòng)能力：≥1.0A。

尚測(cè)經(jīng)過(guò)十年的努力，已經(jīng)躋身于老化*，其設(shè)計(jì)制造的各種老化房具有如下特色：

1.溫度控制準(zhǔn)確，精度高。由于采用了*的風(fēng)道系統(tǒng)設(shè)計(jì)及電控系統(tǒng)，能保持整個(gè)房間溫度高度均勻性，大大高于同類(lèi)產(chǎn)品。

2.房間設(shè)定溫度范圍廣，連續(xù)可調(diào)。在常溫（常溫+10℃－70℃）范圍內(nèi)可任意設(shè)定。

3.能確保安全長(zhǎng)期穩(wěn)定*運(yùn)行。

4.厚鋼板及保溫層、不銹鋼材料加固房體等措施。

5.試驗(yàn)室結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)先進(jìn)合理，配套產(chǎn)品和功能元器件具有同行的先進(jìn)水平，能夠適應(yīng)長(zhǎng)期、穩(wěn)定、安全、可靠的生產(chǎn)需求。

6.設(shè)備主要部件選用國(guó)內(nèi)外品牌廠家的產(chǎn)品，確保整機(jī)的質(zhì)量和性能。

7.外形美觀，施工方便，施工周期短。 

8．高溫老化房為方便試品進(jìn)出工作室，采用落地式箱體結(jié)構(gòu)。落地式庫(kù)板拼裝結(jié)構(gòu)，可以zui大化減少設(shè)備后期的搬遷，擴(kuò)張導(dǎo)致的浪費(fèi)。

9.高溫老化房組成：加熱、降溫、風(fēng)道循環(huán)、照明、排風(fēng)、中央控制柜等部分組成。

10.采用高性能的75mm雙面彩鋼巖棉庫(kù)板，安全環(huán)保，保溫，大大降低設(shè)備的能損，同時(shí)達(dá)到節(jié)能的功效。

11.控制系統(tǒng)中關(guān)鍵元器件均采用*產(chǎn)品，相比國(guó)產(chǎn)儀表而言，更保證性能穩(wěn)定可靠。

12.安全的輸出保護(hù)電器，保護(hù)試件和試驗(yàn)系統(tǒng)的安全，完善的保護(hù)措施，系統(tǒng)安全可靠。

13.人性化的軟件操作界面，易學(xué)易用，自動(dòng)或手動(dòng)產(chǎn)生試驗(yàn)報(bào)表。

14.房體大門(mén)：?jiǎn)伍_(kāi)門(mén)（或雙扇開(kāi)門(mén)）1000*1900mm（寬*高）一扇，充分考慮樣品車(chē)進(jìn)出方便，防反鎖，確保從里面能順利開(kāi)啟。

15.門(mén)觀察窗：為便于觀察箱內(nèi)試品的情況，觀察窗材料均為多層鋼化玻璃構(gòu)成的中空電阻膜加熱防霜玻璃，與業(yè)界傳統(tǒng)的普通玻璃相比，多層鋼化玻璃不僅堅(jiān)實(shí)安全，同時(shí)可以防止表面起霧，隨時(shí)保持清晰的觀測(cè)箱內(nèi)的狀況。

16.房體觀察窗：雙層鋼化玻璃，230*450mm（寬*高）

17.照明裝置：老化房?jī)?nèi)設(shè)置有2盞40W／220V防潮、防爆照明燈，防護(hù)等級(jí)滿足IP65，防爆等級(jí)符合GB3836-2000《爆炸性氣體環(huán)境用電氣設(shè)備》標(biāo)準(zhǔn)?？墒謩?dòng)直接開(kāi)關(guān)控制，避開(kāi)箱體中部樣品區(qū)。